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TPH3202PD
MOSFET N-CH 600V 9A TO220
テクノロジー
GaNFET (Gallium Nitride)
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
9A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
350 mOhm @ 5.5A, 8V
Vgs(th) (最大) @ ID
2.5V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
9.3nC @ 4.5V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
760pF @ 480V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
8V
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