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TPH3205WSB
MOSFET N-CH 650V 36A TO247
部品のステータス
Not For New Designs
テクノロジー
GaNFET (Gallium Nitride)
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
36A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
60 mOhm @ 22A, 8V
Vgs(th) (最大) @ ID
2.6V @ 700µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
42nC @ 8V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
2200pF @ 400V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
8V
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