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TPH3206LSB

TPH3206LSB

MOSFET N-CH 650V 16A PQFN
部品番号
TPH3206LSB
メーカー/ブランド
シリーズ
-
部品のステータス
Active
包装
Tube
テクノロジー
GaNFET (Gallium Nitride)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
3-PowerDFN
サプライヤーデバイスパッケージ
PQFN (8x8)
消費電力(最大)
81W (Tc)
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
650V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
16A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
180 mOhm @ 10A, 8V
Vgs(th) (最大) @ ID
2.6V @ 500µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
6.2nC @ 4.5V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
720pF @ 480V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
8V
Vgs (最大)
±18V
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