TPH3207WS
MOSFET N-CH 650V 50A TO247
部品番号
TPH3207WS
メーカー/ブランド
シリーズ
-
部品のステータス
Not For New Designs
包装
Tube
テクノロジー
GaNFET (Gallium Nitride)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Through Hole
パッケージ・ケース
TO-247-3
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-247
消費電力(最大)
178W (Tc)
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
650V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
41 mOhm @ 32A, 8V
Vgs(th) (最大) @ ID
2.65V @ 700µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
42nC @ 8V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
2197pF @ 400V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
8V
Vgs (最大)
±18V
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