Transphorm TPH3208LDG MOSFET N-CH 650V 20A PQFN を購入

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TPH3208LDG

MOSFET N-CH 650V 20A PQFN

部品番号

TPH3208LDG

メーカー/ブランド

Transphorm

シリーズ

部品のステータス

Active

包装

Tube

テクノロジー

GaNFET (Gallium Nitride)

動作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

取付タイプ

Surface Mount

パッケージ・ケース

3-PowerDFN

サプライヤーデバイスパッケージ

PQFN (8x8)

消費電力(最大)

96W (Tc)

FETタイプ

N-Channel

FETの特徴

ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)

650V

電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C

20A (Tc)

Rds オン (最大) @ Id、Vgs

130 mOhm @ 13A, 8V

Vgs(th) (最大) @ ID

2.6V @ 300µA

ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs

14nC @ 8V

入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds

760pF @ 400V

駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)

Vgs (最大)

±18V

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