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TPH3208PD

TPH3208PD

MOSFET N-CH 650V 20A TO220
部品番号
TPH3208PD
メーカー/ブランド
シリーズ
-
部品のステータス
Last Time Buy
包装
Tube
テクノロジー
GaNFET (Gallium Nitride)
動作温度
-55°C ~ 150°C
取付タイプ
Through Hole
パッケージ・ケース
TO-220-3
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-220
消費電力(最大)
-
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
650V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
-
Vgs(th) (最大) @ ID
-
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
14nC @ 8V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
760pF @ 400V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
-
Vgs (最大)
-
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