TPH3212PS
MOSFET N-CH 650V 27A TO220
部品番号
TPH3212PS
メーカー/ブランド
シリーズ
-
部品のステータス
Active
包装
Tube
テクノロジー
GaNFET (Gallium Nitride)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Through Hole
パッケージ・ケース
TO-220-3
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-220
消費電力(最大)
104W (Tc)
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
650V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
27A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
72 mOhm @ 17A, 8V
Vgs(th) (最大) @ ID
2.6V @ 400uA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
14nC @ 8V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
1130pF @ 400V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
8V
Vgs (最大)
±18V
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