Vishay Siliconix SIS903DN-T1-GE3 MOSFET DUAL P-CHAN POWERPAK 1212 を購入

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DataSheets

SIS903DN-T1-GE3

MOSFET DUAL P-CHAN POWERPAK 1212

部品番号

SIS903DN-T1-GE3

メーカー/ブランド

Vishay Siliconix

シリーズ

TrenchFET® Gen III

部品のステータス

Active

包装

Digi-Reel®

動作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

取付タイプ

Surface Mount

パッケージ・ケース

PowerPAK® 1212-8 Dual

パワー - 最大

2.6W (Ta), 23W (Tc)

サプライヤーデバイスパッケージ

PowerPAK® 1212-8 Dual

FETタイプ

2 P-Channel (Dual)

FETの特徴

Standard

ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)

20V

電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C

6A (Tc)

Rds オン (最大) @ Id、Vgs

20.1 mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs(th) (最大) @ ID

1V @ 250µA

ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs

42nC @ 10V

入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds

2565pF @ 10V

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