Vishay Siliconix SIS932EDN-T1-GE3 MOSFET N-CH DL 30V PWRPAK 1212-8 を購入

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SIS932EDN-T1-GE3

MOSFET N-CH DL 30V PWRPAK 1212-8

部品番号

SIS932EDN-T1-GE3

メーカー/ブランド

Vishay Siliconix

シリーズ

TrenchFET®

部品のステータス

Active

包装

Digi-Reel®

動作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

取付タイプ

Surface Mount

パッケージ・ケース

PowerPAK® 1212-8 Dual

パワー - 最大

2.6W (Ta), 23W (Tc)

サプライヤーデバイスパッケージ

PowerPAK® 1212-8 Dual

FETタイプ

2 N-Channel (Dual)

FETの特徴

Standard

ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)

30V

電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C

6A (Tc)

Rds オン (最大) @ Id、Vgs

22 mOhm @ 10A, 4.5V

Vgs(th) (最大) @ ID

1.4V @ 250µA

ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs

14nC @ 4.5V

入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds

1000pF @ 15V

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