Vishay Siliconix SIS990DN-T1-GE3 MOSFET 2N-CH 100V 12.1A 1212-8 を購入

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SIS990DN-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 100V 12.1A 1212-8

部品番号

SIS990DN-T1-GE3

メーカー/ブランド

Vishay Siliconix

シリーズ

TrenchFET®

部品のステータス

Active

包装

Tape & Reel (TR)

動作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

取付タイプ

Surface Mount

パッケージ・ケース

PowerPAK® 1212-8 Dual

パワー - 最大

25W

サプライヤーデバイスパッケージ

PowerPAK® 1212-8 Dual

FETタイプ

2 N-Channel (Dual)

FETの特徴

Standard

ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)

100V

電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C

12.1A

Rds オン (最大) @ Id、Vgs

85 mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th) (最大) @ ID

4V @ 250µA

ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs

8nC @ 10V

入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds

250pF @ 50V

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