Vishay Siliconix SISH106DN-T1-GE3 MOSFET N-CHAN PPAK 1212-8SH を購入

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SISH106DN-T1-GE3

MOSFET N-CHAN PPAK 1212-8SH

部品番号

SISH106DN-T1-GE3

メーカー/ブランド

Vishay Siliconix

シリーズ

TrenchFET®

部品のステータス

Active

テクノロジー

MOSFET (Metal Oxide)

動作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

取付タイプ

Surface Mount

パッケージ・ケース

PowerPAK® 1212-8SH

サプライヤーデバイスパッケージ

PowerPAK® 1212-8SH

消費電力(最大)

1.5W (Ta)

FETタイプ

N-Channel

ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)

20V

電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C

12.5A (Ta)

Rds オン (最大) @ Id、Vgs

6.2 mOhm @ 19.5A, 4.5V

Vgs(th) (最大) @ ID

1.5V @ 250µA

ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs

27nC @ 4.5V

Vgs (最大)

±12V

駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)

2.5V, 4.5V

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