Vishay Siliconix SISH112DN-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 1212-8 PPAK を購入

画像はイメージの場合もございます。
商品詳細は仕様をご覧ください。

もっと見る DataSheets

SISH112DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 1212-8 PPAK

部品番号

SISH112DN-T1-GE3

メーカー/ブランド

Vishay Siliconix

シリーズ

TrenchFET®

部品のステータス

Active

テクノロジー

MOSFET (Metal Oxide)

動作温度

-50°C ~ 150°C (TJ)

取付タイプ

Surface Mount

パッケージ・ケース

PowerPAK® 1212-8SH

サプライヤーデバイスパッケージ

PowerPAK® 1212-8SH

消費電力(最大)

1.5W (Tc)

FETタイプ

N-Channel

ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)

30V

電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C

11.3A (Tc)

Rds オン (最大) @ Id、Vgs

7.5 mOhm @ 17.8A, 10V

Vgs(th) (最大) @ ID

1.5V @ 250µA

ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs

27nC @ 4.5V

入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds

2610pF @ 15V

Vgs (最大)

±12V

駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)

4.5V, 10V

リクエスト引用

必須フィールドをすべて入力し、送信をクリックしてください。12 時間以内に電子メールでご連絡いたします。何か問題がございましたら、メッセージを残すか、[email protected] まで電子メールを送信してください。できるだけ早く対応させていただきます。

在庫あり 36612 PCS

連絡先

関連製品

SISH106DN-T1-GE3

MOSFET N-CHAN PPAK 1212-8SH