Vishay Siliconix SISH625DN-T1-GE3 MOSFET P-CHAN 30 V POWERPAK 1212 を購入

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SISH625DN-T1-GE3

MOSFET P-CHAN 30 V POWERPAK 1212

部品番号

SISH625DN-T1-GE3

メーカー/ブランド

Vishay Siliconix

シリーズ

TrenchFET®

部品のステータス

Active

テクノロジー

MOSFET (Metal Oxide)

動作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

取付タイプ

Surface Mount

パッケージ・ケース

PowerPAK® 1212-8SH

サプライヤーデバイスパッケージ

PowerPAK® 1212-8SH

消費電力(最大)

3.7W (Ta), 52W (Tc)

FETタイプ

P-Channel

ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)

30V

Rds オン (最大) @ Id、Vgs

7 mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th) (最大) @ ID

2.5V @ 250µA

ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs

126nC @ 10V

入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds

4427pF @ 15V

Vgs (最大)

±20V

駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)

4.5V, 10V

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