Vishay Siliconix SIZF906ADT-T1-GE3 MOSFET DUEL N-CHAN 30V を購入

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SIZF906ADT-T1-GE3

MOSFET DUEL N-CHAN 30V

部品番号

SIZF906ADT-T1-GE3

メーカー/ブランド

Vishay Siliconix

シリーズ

TrenchFET® Gen IV

部品のステータス

Active

包装

Tape & Reel (TR)

動作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

取付タイプ

Surface Mount

パッケージ・ケース

8-PowerWDFN

パワー - 最大

4.5W (Ta), 38W (Tc), 5W (Ta), 83W (Tc)

サプライヤーデバイスパッケージ

8-PowerPair® (6x5)

FETタイプ

2 N-Channel (Dual), Schottky

FETの特徴

Standard

ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)

30V

電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C

27A (Ta), 60A (Tc), 52A (Ta), 60A (Tc)

Rds オン (最大) @ Id、Vgs

3.8 mOhm @ 15A, 10V, 1.17 mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th) (最大) @ ID

2.2V @ 250µA

ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs

49nC @ 10V, 200nC @ 10V

入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds

2000pF @ 15V, 8200pF @ 15V

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