Vishay Siliconix SIZF916DT-T1-GE3 MOSFET N-CH DUAL 30V を購入

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SIZF916DT-T1-GE3

MOSFET N-CH DUAL 30V

部品番号

SIZF916DT-T1-GE3

メーカー/ブランド

Vishay Siliconix

シリーズ

TrenchFET® Gen IV

部品のステータス

Active

動作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

取付タイプ

Surface Mount

パッケージ・ケース

8-PowerWDFN

パワー - 最大

3.4W (Ta), 26.6W (Tc), 4W (Ta), 60W (Tc)

サプライヤーデバイスパッケージ

8-PowerPair® (6x5)

FETタイプ

2 N-Channel (Dual)

FETの特徴

Standard

ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)

30V

電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C

23A (Ta), 40A (Tc)

Rds オン (最大) @ Id、Vgs

4 mOhm @ 10A, 10V, 1.25 mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th) (最大) @ ID

2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA

ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs

22nC @ 10V, 95nC @ 10V

入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds

1060pF @ 15V, 4320pF @ 15V

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