onsemi (Ansemi)
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FDG6301N Dual N-Channel Digital FET 25V, 0.22A, 4Ω

FDG6301N

Dual N-Channel Digital FET 25V, 0.22A, 4Ω
部品番号
FDG6301N
カテゴリー
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
メーカー/ブランド
onsemi (Ansemi)
カプセル化
SC-70-6
パッキング
taping
パッケージの数
3000
説明
These dual N-channel logic level enhancement mode field effect transistors are produced using a proprietary high cell density DMOS technology. This very high-density process is ideal for minimizing on-resistance. This device is designed to replace bipolar digital transistors and small signal MOSFETs in low voltage applications.
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