onsemi (Ansemi)
画像はイメージの場合もございます。
商品詳細は仕様をご覧ください。
商品詳細は仕様をご覧ください。
FDG6303N
FDG6303N
部品番号
FDG6303N
カテゴリー
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
メーカー/ブランド
onsemi (Ansemi)
カプセル化
SC-70-6
パッキング
taping
パッケージの数
3000
説明
These Dual N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistors are produced using Fairchild Semiconductor's proprietary high cell density DMOS technology. This very high density process is tailored to minimize on-resistance. The device is specifically designed for low-voltage applications to replace bipolar digital transistors and small-signal MOSFETS.
リクエスト引用
必須フィールドをすべて入力し、送信をクリックしてください。12 時間以内に電子メールでご連絡いたします。何か問題がございましたら、メッセージを残すか、[email protected] まで電子メールを送信してください。 できるだけ早く対応させていただきます。
在庫あり 65812 PCS
連絡先
関連製品
2x N-Channel 20V 700mA Dual 20V N-Channel PowerTrench MOSFETs, 0.7 A, 400 mΩ
onsemi (Ansemi)
のキーワード FDG6303N
FDG6303N 電子部品
FDG6303N 売上
FDG6303N サプライヤー
FDG6303N ディストリビュータ
FDG6303N データテーブル
FDG6303Nの写真
FDG6303N 価格
FDG6303N オファー
FDG6303N 最安値
FDG6303N 検索
FDG6303N を購入中
FDG6303N チップ