onsemi (Ansemi)
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FDG6304P Dual P-Channel, Digital FET, -25V, 0.41A, 1.1Ω

FDG6304P

Dual P-Channel, Digital FET, -25V, 0.41A, 1.1Ω
部品番号
FDG6304P
カテゴリー
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
メーカー/ブランド
onsemi (Ansemi)
カプセル化
SOT-363
パッキング
taping
パッケージの数
3000
説明
These dual P-channel logic level enhancement mode field effect transistors are produced using a high cell density DMOS proprietary process. This very high-density process is ideal for minimizing on-resistance. This device is designed to replace bipolar digital transistors and small signal MOSFETs in low voltage applications.
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