onsemi (Ansemi)
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FDG6332C 20V N&P Channel Power Trench MOSFETs

FDG6332C

20V N&P Channel Power Trench MOSFETs
部品番号
FDG6332C
カテゴリー
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
メーカー/ブランド
onsemi (Ansemi)
カプセル化
SOT-363-6(SC-70-6)
パッキング
taping
パッケージの数
3000
説明
These N- and P-channel MOSFETs are produced using Fairchild Semiconductor's advanced PowerTrench process, which is specially tailored to minimize on-state resistance while maintaining excellent switching performance. These devices are specifically designed to provide extremely low power consumption in an extremely small size, making them ideal for applications where the larger and more expensive TSSOP-8 and SSOP-6 encapsulation is not suitable.
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