IXYS IXTD1R4N60P 11 MOSFET N-CH 600V を購入

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IXTD1R4N60P 11

MOSFET N-CH 600V

部品番号

IXTD1R4N60P 11

メーカー/ブランド

IXYS

シリーズ

PolarHV™

部品のステータス

Obsolete

包装

テクノロジー

MOSFET (Metal Oxide)

動作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

取付タイプ

Surface Mount

パッケージ・ケース

Die

サプライヤーデバイスパッケージ

Die

消費電力(最大)

50W (Tc)

FETタイプ

N-Channel

FETの特徴

ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)

600V

電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C

1.4A (Tc)

Rds オン (最大) @ Id、Vgs

9 Ohm @ 700mA, 10V

Vgs(th) (最大) @ ID

5.5V @ 25µA

ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs

5.2nC @ 10V

入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds

140pF @ 25V

駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)

10V

Vgs (最大)

±30V

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