IXYS IXTD2N60P-1J MOSFET N-CH 600 を購入

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IXTD2N60P-1J

MOSFET N-CH 600

部品番号

IXTD2N60P-1J

メーカー/ブランド

IXYS

シリーズ

PolarHV™

部品のステータス

Last Time Buy

包装

テクノロジー

MOSFET (Metal Oxide)

動作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

取付タイプ

Surface Mount

パッケージ・ケース

Die

サプライヤーデバイスパッケージ

Die

消費電力(最大)

56W (Tc)

FETタイプ

N-Channel

FETの特徴

ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)

600V

電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C

2A (Tc)

Rds オン (最大) @ Id、Vgs

5.1 Ohm @ 1A, 10V

Vgs(th) (最大) @ ID

5V @ 250µA

ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs

7nC @ 10V

入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds

240pF @ 25V

駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)

10V

Vgs (最大)

±30V

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