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IXTD4N80P-3J
MOSFET N-CH 800
部品番号
IXTD4N80P-3J
メーカー/ブランド
シリーズ
PolarHV™
部品のステータス
Last Time Buy
包装
-
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
Die
サプライヤーデバイスパッケージ
Die
消費電力(最大)
100W (Tc)
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
800V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
3.6A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
3.4 Ohm @ 1.8A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
5.5V @ 100µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
14.2nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
750pF @ 25V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
10V
Vgs (最大)
±30V
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