AGM-Semi (core control source)
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AGM10N15D
AGM10N15D
部品番号
AGM10N15D
カテゴリー
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
メーカー/ブランド
AGM-Semi (core control source)
カプセル化
TO-252
パッキング
taping
パッケージの数
2500
説明
Type: N-channel Drain-source voltage (Vdss): 150V Continuous drain current (Id): 8.6A Power (Pd): 39W On-resistance (RDS(on)@Vgs,Id: 196mΩ@10V, 4A Threshold voltage ( Vgs(th)@Id): 2.0@250uA Gate charge (Qg@Vgs) 8.2nC@10V Input capacitance (Ciss@Vds): 0.45nF@75V, Vds=150v Id=8.6A Rds=196mΩ, operating temperature: -55℃~+150℃@(Tj)
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