AGM-Semi (core control source)
画像はイメージの場合もございます。
商品詳細は仕様をご覧ください。
商品詳細は仕様をご覧ください。
AGM10N65F
N-channel 650V 10A 0.98Ω
部品番号
AGM10N65F
カテゴリー
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
メーカー/ブランド
AGM-Semi (core control source)
カプセル化
TO-220F
パッキング
Tube
パッケージの数
50
説明
Type: N-channel Drain-source voltage (Vdss): 650V Continuous drain current (Id): 10A Power (Pd): 65W On-resistance (RDS(on)@Vgs,Id: 0.98Ω@10V, 5A Threshold voltage ( Vgs(th)@Id): 3.5V@250uA Gate charge (Qg@Vgs) 48nC@10V Input capacitance (Ciss@Vds): 1.377nF@25V, Vds=650v Id=10A Rds=0.98mΩ, operating temperature: -55℃~+150℃@(Tj)
リクエスト引用
必須フィールドをすべて入力し、送信をクリックしてください。12 時間以内に電子メールでご連絡いたします。何か問題がございましたら、メッセージを残すか、[email protected] まで電子メールを送信してください。 できるだけ早く対応させていただきます。
在庫あり 66439 PCS
連絡先
関連製品
のキーワード AGM10N65F
AGM10N65F 電子部品
AGM10N65F 売上
AGM10N65F サプライヤー
AGM10N65F ディストリビュータ
AGM10N65F データテーブル
AGM10N65Fの写真
AGM10N65F 価格
AGM10N65F オファー
AGM10N65F 最安値
AGM10N65F 検索
AGM10N65F を購入中
AGM10N65F チップ