AGM-Semi (core control source)
画像はイメージの場合もございます。
商品詳細は仕様をご覧ください。
商品詳細は仕様をご覧ください。
AGM12N65F
N-channel 650V 12A 0.76Ω
部品番号
AGM12N65F
カテゴリー
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
メーカー/ブランド
AGM-Semi (core control source)
カプセル化
TO-220F
パッキング
Tube
パッケージの数
50
説明
Type: N-channel Drain-source voltage (Vdss): 650V Continuous drain current (Id): 12A Power (Pd): 65W On-resistance (RDS(on)@Vgs,Id: 0.76Ω@10V, 6A Threshold voltage ( Vgs(th)@Id): 3.5V@250uA Gate charge (Qg@Vgs) 51nC@10V Input capacitance (Ciss@Vds): 1.641nF@25V, Vds=650v Id=12A Rds=0.76Ω, operating temperature: -55℃~+150℃@(Tj)
リクエスト引用
必須フィールドをすべて入力し、送信をクリックしてください。12 時間以内に電子メールでご連絡いたします。何か問題がございましたら、メッセージを残すか、[email protected] まで電子メールを送信してください。 できるだけ早く対応させていただきます。
在庫あり 71994 PCS
連絡先
関連製品
のキーワード AGM12N65F
AGM12N65F 電子部品
AGM12N65F 売上
AGM12N65F サプライヤー
AGM12N65F ディストリビュータ
AGM12N65F データテーブル
AGM12N65Fの写真
AGM12N65F 価格
AGM12N65F オファー
AGM12N65F 最安値
AGM12N65F 検索
AGM12N65F を購入中
AGM12N65F チップ