AGM-Semi (core control source) AGM12N10A AGM12N10A を購入

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AGM-Semi (core control source)

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AGM12N10A

部品番号

AGM12N10A

カテゴリー

Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)

メーカー/ブランド

AGM-Semi (core control source)

カプセル化

PDFN-8(5x6)

パッキング

taping

パッケージの数

3000

説明

Type: N-Channel Drain-Source Voltage (Vdss): 100V Continuous Drain Current (Id): 55A Power (Pd): 96W On-Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 9.3mΩ@10V,20A Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.8V@250uA Gate Charge (Qg@Vgs): 21.8nC@10V Input Capacitance (Ciss@Vds): 1.08nF@50V , Vds=100V Id=55A Rds=9.3mΩ, Working temperature: -55℃~+150℃@(Tj) DFN5x6encapsulation;

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